بررسی خواص اپتیکی فیلم های نازک اکسید منیزیم تهیه شده به روش سل- ژل
نویسندگان
چکیده
فیلم‌های نازک اکسید منیزیم به روش سل- ژل تهیه شدند. اثر دمای بازپخت روی خواص اپتیکی، ساختاری و مورفولوژیکی فیلمها با استفاده از ftir، uv-visible، اسپکتروسکوپی فوتولومینسانس (pl)، پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ثابتهای اپتیکی و ضخامت فیلمها با رهیافت کمینهسازی نامقید نقطهگرا تعیین شد. شفافیت اپتیکی فیلمها با افزایش دما کاهش مییابد. با افزایش دما ضریب شکست و ضریب خاموشی فیلمها افزایش یافته اما ضخامت و گاف نواری کاهش مییابد. ضخامت فیلمها به ترتیب از 635 به 420 نانومتر و گاف نواری فیلمها از ev05/4 به ev02/4 کاهش مییابد. شدت فوتولومینسانس با افزایش دما افزایش مییابد. طیف xrd نشان میدهد که فیلم‌های تهیه شده در دمای 500 درجۀ سانتی گراد ساختارآمورف دارند. هم چنین ساختار کریستالی نانوپودرهای اکسید منیزیم تهیه شده به روش سل- ژل د بررسی شد. ساختار کریستالی پودرهای mgo با افزایش دما بهبود یافته است. تصویر sem فیلم تهیه شده در دمای500 درجۀ سانتی گراد یک فیلم همگن و بدون ترک را نشان می دهد.
منابع مشابه
بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایههای نازک 4ZnSnS2Cu تهیه شده به روش سل- ژل چرخشی
In this study Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were deposited by sol–gel spin coating on glass substrates and the effect of metal salts ratio, annealing treatment with and without sulfur vapor on structural, morphological and optical properties of CZTS films were investigated. Our results were showed that all CZTS thin films have kesterite structure. Moreover increasing of zinc concentration and d...
متن کاملبررسی برخی خواص ساختاری ، اپتیکی والکتریکی فیلم های نازک اکسیدروی تهیه شده به روش سل-ژل
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روش های متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده...
15 صفحه اوللایهنشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل
اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه نشانی به روش سل – ژل، پوشش های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...
متن کاملبررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل
در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظتهای مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایههای شیشهای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایههای نازک به ترتیب توسط روشهای XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis و AFM مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج الگوی XRD نشان داد که لایههای نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونا...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
علومجلد ۱۲، شماره ۴، صفحات ۶۱۳-۶۲۲
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023